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THz近场传感器(THz近场探针)  
THz近场传感器(THz近场探针)
蛋白质微探针系列是新一代的高性能光电导型微探针,利用此探针,样品表面的近场太赫兹电场可被以被空前的分辨率测量,信号质量好,噪声低。这些太赫兹探针可以无缝的与激发波长低于860nm的系统配合使用,性价比高,结合时域泵浦探测系统成为THz近场系统可以进行高分辨率的成像研究。
宽频THz传感器(PCA)  
宽频THz传感器(PCA)
T-Era系列传感器被用于产生和探测太赫兹频段的电磁波,可应用于光谱分析、传感和成像领域。光电导天线芯片制作在独特的半导体材料上,封装紧凑牢固,这些特点使得天线芯片性能优越、使用简单。TeTechS生产的T-Era光电导天线芯片相比其他太赫兹产生探测器件,具有更高水平的低噪声表现,从而能获得一个更高的系统信号动态范围。
饱和噪声抑制器  
饱和噪声抑制器
BATOP 现已成为用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件,从可饱和吸收镜(SAM?),到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可 饱和吸收体(SA)。
低温砷化镓  
低温砷化镓
For some applications fast time response devices are needed e.g. for optical detectors, saturable absorbers or photoconductiver antennas. We grow such devices at low temperatures with short response times of pico- and femto-seconds.
SESAM半导体可饱和吸收镜  
SESAM半导体可饱和吸收镜
BATOP 现已成为用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件,从可饱和吸收镜(SAM?),到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止,可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围。
激光芯片 Microchip  
激光芯片 Microchip
BATOP从事的专业领域包括:低温分子束外延技术,介质溅射镀膜,晶圆加工和芯片安装技术。可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6µm的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线,还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品, 我们始终和客户在一起,最好的满足他们的需求。
铌酸锂晶体LiNbO3  
铌酸锂晶体LiNbO3
Lithium Niobate ( LiNbO3) is notable by a favourable balance of electro-optic,acoustic, piezoelectric, pyroelectric and non-linear optical attributes and is thereforethe best material for applications in electro-optical, non-linear optical, and acoustic
光导天线阵列  
光导天线阵列
BATOP不仅提供单带隙天线,还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。
硒化锌晶体 ZnSe  
硒化锌晶体 ZnSe
The application fields of ZnTe are THz detectors; THz emitters; IR optics; substrates; crystal pieces for vapour deposition; optical limiters.
thz天线  
thz天线
Batop还提供用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线,还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为530nm到1550nm之间。